CIF反应离子刻蚀机/材料微结构刻蚀设备RIE200/200plus
详细信息
| | 加工定制：是 | | 品牌：CIF | | 型号：RIE200/200plus | |
| | 工作频率：13.56MHz/40KHz | | 功率：0-600 w | | | |
产品型号：
RIE200/200plus
RIE反应离子刻蚀机，采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。特别适合于大学、科研院所，微电子、半导体企业实验室进行介质刻蚀、硅刻蚀、金属刻蚀等方面研究。使用成本低，性价比高，易维护，处理快速高效。
一、等离子刻蚀机原理
等离子蚀刻，也称为干法蚀刻，等离子刻蚀机是一种利用等离子体对半导体材料进行刻蚀加工的设备，是半导体制造过程中不可或缺的设备之一。利用等离子体作为蚀刻介质，通过控制射频功率、气体流量、压力、蚀刻气体种类、处理时间、平台温度等工艺参数，选择性地移除沉积层特定部分的材料，将图案蚀刻到基材上的过程。
二、应用领域
适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：
- 介电材料（SiO2、SiNx等）
- 硅基材料（Si，a-Si，poly Si）
- III-V材料（GaAs、InP、GaN等）
- 溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）
- 类金刚石（DLC）
主要用于微电子芯片、太阳能电池、生物芯片、显示器、光学、通讯等领域的器件研发和制造。
三、设备特点
- 7寸彩色触摸屏中英文互动操作界面，自动控制监测工艺参数状态，20个配方程序，工艺数据可存储追溯。
- PLC工控机控制整个清洗过程，手动、自动两种工作模式。
- 真空舱体、全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。
- 采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。
- 采用花洒式多孔进气方式，改变单孔进气不均匀问题。
- HEPA高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。
- 符合人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。
- 采用顶置真空舱，上开盖设计，下压式铰链开关方式。
- 上置式360度水平取放样品设计，符合人体功能学，操作更方便。
- 有效处理面积大，可处理*大直径200mm晶元硅片。
- 安全保护，舱门打开，自动关闭电源，机器运行、停止提示。
四、设备参数
| 型号 |
RIE200 |
RIE200plus |
| 舱体内尺寸 |
H38xΦ260mm |
H38xΦ260mm |
| 舱体容积 |
2L |
2L |
| 射频电源 |
40KHz |
13.56MHz |
| 电极 |
不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm |
不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm |
| 匹配器 |
自动匹配 |
自动匹配 |
| 刻蚀方式 |
RIE |
RIE |
| 射频功率 |
0-600W可调（可选0-1000W） |
0-300W可调（可选0-600W） |
| 气体控制 |
质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围0-500SCCM（可调） |
| 工艺气体 |
Ar、N₂、O₂、H₂、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等（可选） |
| *大处理尺寸 |
Φ154mm |
| 产品尺寸 |
L520xW600xH420mm |
| 包装尺寸 |
L700xW580xH490mm |
| 时间设定 |
9999秒 |
| 真空泵 |
抽速约8平方米/时 |
| 气体稳定时间 |
1分钟 |
| 极限真空 |
≤1Pa |
| 电 源 |
AC220V 50-60Hz，802（1202）502（802）W所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。 |
| 整机重量 |
38kg |
￥面议
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